화성캠퍼스 V1에서 GAA 첫 양산경계현 대표, 이창양 장관 등 출하식 참석“파운드리에 한 획···무에서 유 창조”
삼성전자 임직원들이 경기도 화성시 삼성전자 반도체 공장에서 3나노 반도체 양산 성공을 알리고 있다. 사진제공=삼성전자[서울경제] 삼성전자(005930)가 세계에서 처음으로 3나노(㎚·10억분의 1m) 파운드리 제품 출하식을 열었다.삼성전자는 경기도 화성캠퍼스 극자외선(EUV) 전용 라인인 V1에서 차여성흥분제20mg 구매방법 <br>세대 트랜지스터 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다.이 날 행사는 이창양 산업통상자원부 장관을 비롯해 협력사, 삼성전자 DS부문장 경계현 사장과 임직원 등 100여 명이 참 http://84.rin987.site 물뽕 구매사이트석했다.삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠습니다’라는 자신감과 함께 3나노 GAA 공정 양산과 첨단 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다. 경 사장은 “ http://64.rvi876.site 온라인 발기부전치료제구입삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며 “기존 핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.이 장관은 http://33.rlb119.site 발기부전치료제처방 축사에서 삼성전자 임직원과 반도체 산업계의 노고에 감사를 표했다. 이 장관은 “치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라”고 당부했다. 그는 “정부도 지난주 발여성흥분제 구입사이트 <br>표한 ‘반도체 초강대국 달성전략’을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것”이라고 덧붙였다.삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부 http://41.rnb334.site GHB효과터 시작했다. GAA는 기존 핀펫 구조보다 트랜지스터 내 전류가 흐르는 통로가 많아져서 더 많은 데이터를 빠른 속도로 전달할 수 있는 것이 장점이다.삼성전자는 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최 http://42.rlb119.site 성기능개선제구입처사이트초로 GAA 기술을 적용한 공정 양산을 발표했다. 3나노 GAA 공정은 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음 적용되고, 주요 고객들과 모바일 시스템온칩(SoC) 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.향후 http://35.ryn912.site 발기부전치료제구입처사이트 삼성전자는 3나노 GAA 파운드리를 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.
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